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Die Internationale Marke HSC wurde als Wortmarke am 03.06.2005 bei der Weltorganisation für geistiges Eigentum angemeldet.
| Markenform | Wortmarke |
| Aktenzeichen | 857679 |
| Registernummer | 30468977.7/01 |
| Länder | 
|
| Basismarke |
Nr. 304 68 977.7/01,
31. Januar 2005
|
| Anmeldedatum | 03. Juni 2005 |
| Ablaufdatum | 03. Juni 2025 |
Markeninhaber
12334 Geddes Road,
P.O. Box 80
US
P.O. Box 80
US
Markenvertreter
Braunsberger Feld 29
51429 Bergisch Gladbach
DE
Waren und Dienstleistungen
01
Chemicals used in the manufacturing of semiconductor devices
such as transistors, rectifiers, integrated circuits and
other electronic devices, particularly polycrystalline
silicon and silicon source chemicals
09
Semiconductor devices such as transistors, rectifiers,
integrated circuits, and other electronic devices,
particularly made from polycrystalline silicon and silicon
source chemicals
Die Bezeichnungen wurden automatisch übersetzt. Übersetzung anzeigen
Markenhistorie
| Datum | Belegnummer | Bereich | Eintrag |
|---|---|---|---|
| 03. Juni 2015 | 2015/23 Gaz | Verlängerung | |
| 09. März 2012 | 2012/11 Gaz | NO | Ablehnung |
| 13. Februar 2012 | 2012/7 Gaz | CN | Ablehnung |
| 21. März 2011 | 2011/27 Gaz | DE | Korrektur |
| 19. Juni 2008 | 2008/26 Gaz | JP | RAW: Final Reversing Refusal |
| 04. Januar 2007 | 2007/3 Gaz | PL | RAW: Final Reversing Refusal |
| 20. November 2006 | 2007/52 Gaz | KR | Entscheidung zu Widerspruch |
| 29. Juni 2006 | 2006/27 Gaz | PL | Ablehnung |
| 06. Juni 2006 | 2006/25 Gaz | CN | Ablehnung |
| 29. Mai 2006 | 2006/24 Gaz | KR | Ablehnung |
| 30. März 2006 | 2006/14 Gaz | JP | Ablehnung |
| 29. März 2006 | 2006/16 Gaz | GB | RAW: Protection Granted |
| 03. Juni 2005 | 2005/34 Gaz | DE | Eintragung |
ID: 14857679