GaN FET

WIPO WIPO 2020

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Die Internationale Marke GaN FET wurde als Bildmarke am 14.07.2020 bei der Weltorganisation für geistiges Eigentum angemeldet.

Logodesign (Wiener Klassifikation)

#Briefe, die eine besondere Form des Schreibens darstellen

Markendetails Letztes Update: 28. Juli 2022

Markenform Bildmarke
Aktenzeichen 1552719
Länder Europäische Gemeinschaft Japan Südkorea Vereinigte Staaten von Amerika (USA)
Basismarke CN Nr. , 12. Juli 2024
Anmeldedatum 14. Juli 2020
Ablaufdatum 14. Juli 2030

Markeninhaber

39 Jin Yuan Er Rd.,
Hi-Tech District, Zhuhai City
CN

Markenvertreter

45/F, CTF Finance Center, No.6 Zhujiang East Road, CN

Waren und Dienstleistungen

09 Semiconductor chips; wafers for integrated circuits; detectors; radar apparatus
40 Custom assembling of materials for others; planing of materials; laminating; material treatment information; electroplating; refining services; optical glass grinding; decontamination of hazardous materials; burnishing by abrasion; millworking
42 Calibration [measuring]; material testing; chemical analysis
Die Bezeichnungen wurden automatisch übersetzt. Übersetzung anzeigen

Markenhistorie

Datum Belegnummer Bereich Eintrag
06. Juni 2022 2022/23 Gaz US Ablehnung
25. März 2022 2022/13 Gaz KR Ablehnung
10. September 2021 2021/37 Gaz JP Ablehnung
19. August 2021 2021/34 Gaz KR Ablehnung
23. Februar 2021 2021/8 Gaz EM Ablehnung
16. November 2020 2020/47 Gaz US Ablehnung
14. Juli 2020 2020/38 Gaz CN Eintragung

ID: 141552719