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Die Unionsmarke NaNoS wurde als Wortmarke am 09.11.2020 beim Amt der Europäischen Union für Geistiges Eigentum angemeldet.
Sie wurde am 07.04.2021 im Markenregister eingetragen.
Der aktuelle Status der Marke ist "Marke eingetragen (aktive Marke)".
| Markenform | Wortmarke |
| Aktenzeichen | 018335055 |
| Anmeldedatum | 09. November 2020 |
| Veröffentlichungsdatum | 22. Dezember 2020 |
| Eintragungsdatum | 07. April 2021 |
| Ablaufdatum | 09. November 2030 |
Markeninhaber
2 Ilan Ramon Street
7403635 Ness Ziona
IL
7403635 Ness Ziona
IL
Markenvertreter
Via Collina, 36
00187 Roma
IT
Waren und Dienstleistungen
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Kundenspezifische additive Fertigung für Dritte im Bereich Elektronik; Herstellung von elektronischen Hochleistungsgeräten für Dritte, Nämlich, Kundenspezifische gedruckte Leiterplatten, SiP-Elektronik (System-in-Package), mikroelektromechanische Systeme (MEMS), intertiale mikroelektromechanische Systeme (MEMS), im Substrate eingebettete Systeme, planare Magnetplatten, Mesh-Kommunikationselektronik, gedruckte Leiterplatten für Millimeterwellen-Antennen, Chip-Antennen (AiC), integrierte Antennen (AiP), substratähnliche gedruckte Leiterplatten (SLP); Herstellung von elektronischen Hochleistungsgeräten für Dritte, Nämlich, Fanin-/Fanout-AiP (InFO-AiP), PiP-Elektronik (Package-in-Package), integrierte photonische Geräte, TSV-Geräte (Silizium-Durchkontaktierung), EMIB-Chips (Embedded Multi-Die Interconnect Bridge), monolithische Mikrowellen-ICs (MMIC), Interposer - gefertigt unter Verwendung von 3D-Druckern; Fertigungsdienstleistungen für Dritte im Bereich elektronische Hochleistungsgeräte, Nämlich, SiP-Elektronik (System-in-Package), mikroelektromechanische Systeme (MEMS), intertiale mikroelektromechanische Systeme (MEMS), im Substrate eingebettete Systeme, planare Magnetplatten, Mesh-Kommunikationselektronik, gedruckte Leiterplatten für Millimeterwellen-Antennen, Chip-Antennen (AiC), integrierte Antennen (AiP), substratähnliche gedruckte Leiterplatten (SLP); Fertigungsdienstleistungen für Dritte im Bereich elektronische Hochleistungsgeräte, Nämlich, Fanin-/Fanout-AiP (InFO-AiP), PiP-Elektronik (Package-in-Package), integrierte photonische Geräte, TSV-Geräte (Silizium-Durchkontaktierung), EMIB-Chips (Embedded Multi-Die Interconnect Bridge), monolithische Mikrowellen-ICs (MMIC) und Interposer
ID: 11018335055