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Stromwandler; DC/AC-Leistungswandler; Gleichstrom/Wechselstrom-Leistungswandler; Ladegeräte für Batterien; Erneuerbare Batteriesysteme für Reservestrom; Kabellose Ladegeräte; Wechselrichter; Wechselrichter; Solar-Wechselrichter; Batterien, nämlich Batterien für Elektrofahrzeuge; Ladestationen zum Aufladen von Elektrofahrzeugen; Halbleitermaterialien und -geräte, nämlich, Siliziumkarbid- und Galliumnitridstrom- und -drahtlosanlagen; Galliumnitrid-Feldeffekttransistoren für taktische Kollisionsvermeidungssysteme; Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren; Lateral diffundierte Metall-Oxid-Halbleiter; Elektrische Leiterplatten; Radargeräte; Radargeräte und -apparate zur Wetter-, Navigations- und Luftverkehrsüberwachung; Radioempfänger und Radiosendegeräte; Drahtlose Funksende- und -empfangsgeräte; Satellitenrechner; Satellitensender und -empfänger; Transistoren mit hoher Elektronenmobilität, Personenrufgeräte [Pager]; Funkbaken; Entfernungsmessgeräte; Satellitennavigationsgeräte; Navigationsinstrumente; Tonverstärker; Leistungsverstärker; MMIC-Leistungsverstärker; HF-Leistungsverstärker; Elektronische Transmitter zur Störung von Signalen; Radarstörgeräte; Stromversorgung (elektrisch); Netzteile mit Spannungsstabilisator; Frequenzschaltnetzteile; Hochspannungsnetzteile; Niederspannungsnetzteile; Elektronische Stromversorgungsgeräte, zur Verwendung in Bezug auf folgende Waren: Elektromotoren; Schaltanschlusstafeln für das Fernmeldewesen; Telekommunikationskabel; Sender [Telekommunikation]; Elektrokondensatoren [für Telekommunikationsgeräte]; Elektrische Widerstände für Telekommunikationsgeräte; Solarmodule für die Stromerzeugung; Chips; Mikrowellengeräte für gewerbliche Zwecke; Elektronische Transistoren; Dioden; Halbleiterbauelemente; Halbleiterchips; Halbleiterscheiben; Hochfrequenzgeräte; Stromschaltgeräte; Stromversorgungsgeräte; Halbleiterscheiben, Halbleitermaterial, Halbleiterbauelemente, aus den folgenden Materialien: Siliciumcarbid und Galliumnitrid; Schalter [Stromunterbrecher], Elektrische Regeleinrichtungen; Elektrische Schaltungsanordnung, nämlich, Elektro-Schaltkreise, Elektrische Stromkreisschließer, Stromschalter, Stromkreisunterbrecher; Elektronische Geräte, nämlich, Halbleiterkorrektur- und Schottky-Diaoden für Starkstromanwendungen und geringe Schaltverluste; Leistungsmodule [Rechner]; Stromumwandlungssysteme
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Kundenspezifische Materialzusammenstellung für Dritte; Information über Materialbearbeitung; Metallverarbeitung; Kundenspezifische Anfertigung der folgenden Waren: Hochfrequenz in Mikrowellengeräten und Bauteilen, nämlich Gehäuste monolithische Mikrowellen-ICs (MMIC), gehäuste diskrete Transistoren, ungehäuste MMIC-Dies, diskrete Breitband-Dies und diskrete ungehäuste Dies für Dritte; Kundenspezifische Anfertigung der folgenden Waren: Transistoren für Dritte; Kundenspezifische Anfertigung der folgenden Waren: Drahtlose Kommunikationskomponenten für Dritte; Kundenspezifische Anfertigung der folgenden Waren: Verstärker für Dritte; Kundenspezifische Anfertigung der folgenden Waren: Lateral diffundierende Metall-Oxid-Halbleiter (LDMOS) für Dritte; Kundenspezifische Anfertigung der folgenden Waren: Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MESFET) für Dritte; Kundenspezifische Anfertigung der folgenden Waren: Bauteile mit Formatierung für den WiMAX-Standard für Dritte; Kundenauftragsfertigung für Dritte in den folgenden Bereichen: Halbleiterelemente; Bereitstellung von Informationen über die Behandlung von Halbleitermaterialien; Technische Unterstützung, nämlich Technische Beratung in Bezug auf die folgenden Bereiche: Kundenspezifische Herstellung von Halbleitermaterialien und -geräten
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Prüfen von Halbleitermaterial und -elementen, nämlich, Prüfen von Siliziumkarbid- und Galliumnitridstrom- und -drahtlosanlagen; Forschung in Bezug auf technische Projekte in Bezug auf die folgenden Waren: Halbleitermaterial und Halbleiterelemente nämlich, Siliziumkarbid- und Galliumnitridstrom- und -drahtlosanlagen; Forschung und Entwicklung in Bezug auf die folgenden Waren: Halbleitermaterial und Halbleiterelemente nämlich, Siliziumkarbid- und Galliumnitridstrom- und -drahtlosanlagen für Dritte; Dienstleistungen eines Ingenieursbüros in den folgenden Bereichen: Halbleitermaterial und Halbleiterelemente nämlich, Siliziumkarbid- und Galliumnitridstrom- und -drahtlosanlagen; Entwurf der folgenden Waren: Hochfrequenz- und und Mikrowellengeräte und -bauteile, nämlich Gehäuste monolithische Mikrowellen-ICs (MMIC), gehäuste diskrete Transistoren, ungehäuste MMIC-Dies, diskrete Breitband-Dies, diskrete ungehäuste Dies für Dritte, Transistoren, drahtlose Kommunikationskomponenten, Verstärker, lateral diffundierende Metall-Oxid-Halbleiter (LDMOS), Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MESFET) und Bauteile mit Formatierung für den WiMAX-Standard; Dienstleistungen eines Verpackungsdesigners; Kontraktgießerei-, Entwurfs-, Prüfungs- und Ingenieur-, Supportdienste in Bezug auf Halbleitermaterial und -elemente