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Integrierte Schaltkreise; nämlich Metalloxid-Halbleiterschaltkreise (MOS); Multichip-Module für integrierte Schaltkreise; elektrische und/oder elektronische Sensoren für Lichtintensität, Beschleunigung, Verdichtung, Druck und Distanz; Mikrosysteme, nämlich anwendungsspezifische integrierte Schaltkreise (ASICs); integrierte Schaltkreise in Form von anwendungsspezifischen elektronischen Standardprodukten (ASSP); in Speicher integrierte Schaltkreise, nämlich SRAM-Schaltkreise (statischer Direktzugriffsspeicher), DRAM-Schaltkreise (dynamische Direktzugriffsspeicher) und NVRAM-Schaltkreise (nichtflüchtige Direktzugriffsspeicher); Speichererweiterungsmodule; strukturierte Halbleiterscheiben; Telefonsprechkapseln; Computersoftware (gespeichert)
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Entwurf und Entwicklung von Metalloxid-Halbleiterschaltkreisen (MOS), Multichip-Modulen für integrierte Schaltkreise, elektrischen und/oder elektronischen Sensoren für Lichtintensität, Beschleunigung, Verdichtung, Druck und Distanz, Mikrosystemen hauptsächlich bestehend aus Mikroprozessoren und Mikrocomputern, kundenspezifischen integrierten Schaltkreisen in Form von anwendungsspezifischen integrierten Schaltkreisen (ASICs), integrierten Schaltkreisen in Form von anwendungsspezifischen elektronischen Standardprodukten (ASSP), in Speichern integrierten Schaltkreisen in Form von SRAM-Schaltkreisen (statischen Direktzugriffsspeichern), DRAM-Schaltkreisen (dynamischen Direktzugriffsspeichern) und NVRAM-Schaltkreisen (nichtflüchtigen Direktzugriffsspeichern), Speichererweiterungsmodulen und strukturierten Halbleiterscheiben; Laborforschung auf dem Gebiet der Chemie und der Physik; Dienstleistungen eines Ingenieurs; wissenschaftliche Forschung; industrielle Forschung auf dem Gebiet der Physik; Erstellen von Programmen für die Datenverarbeitung; Computersoftware (Entwurf)