p-SiC

WIPO WIPO 2022

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Die Internationale Marke p-SiC wurde als Wortmarke am 31.05.2022 bei der Weltorganisation für geistiges Eigentum angemeldet.

Markendetails Letztes Update: 25. Mai 2023

Markenform Wortmarke
Aktenzeichen 1684528
Registernummer 4822794
Länder Europäische Gemeinschaft Großbritannien Japan Südkorea Vereinigte Staaten von Amerika (USA) China
Basismarke FR Nr. 4822794, 25. März 2022
Anmeldedatum 31. Mai 2022
Ablaufdatum 31. Mai 2032

Markeninhaber

41 rue Jean Jaurès
F-92230 GENNEVILLIERS
FR

Markenvertreter

Waren und Dienstleistungen

01 Polycrystalline silicon carbide manufactured using chemical vapor deposition, for industrial use
09 Polycrystalline silicon carbide semi-conductor parts manufactured using chemical vapor deposition
Die Bezeichnungen wurden automatisch übersetzt. Übersetzung anzeigen

Markenhistorie

Datum Belegnummer Bereich Eintrag
12. Mai 2023 2023/20 Gaz US Ablehnung
03. März 2023 2023/10 Gaz CN Ablehnung
08. Februar 2023 2023/6 Gaz EM Ablehnung
14. Dezember 2022 2022/50 Gaz GB Ablehnung
31. Mai 2022 2022/36 Gaz FR Eintragung

ID: 141684528